[发明专利]一种GaN基发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810042185.7 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101345280A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;吕姝;李士涛;郝茂盛;齐胜利;杨卫桥;陈志忠;张国义 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;北京大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层，该层包括N型氮化镓层，发光区及P型氮化镓层；利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为2000～4000，形成透明导电层，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化镓层露出，步骤四，设计一张所需类光子晶体图形的光刻掩模版，用光刻胶形成掩模，对透明导电层进行蚀刻。该方法在现有技术的基础上，将透明导电层进行进一步加工，制造成具有类光子晶体的微结构，大大提高了发光二极管的出光效率，有效的提升了发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管，其包括，衬底层：其衬底层为蓝宝石衬底，该层位于该发光二极管的底部；半导体层：半导体层为GaN基，该层位于衬底层上方，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；透明导电层：透明导电层为铟锡氧化物、镍金或其混合物组成，该层位于半导体层之上；保护层：该层位于发光二极管的最上层；其特征在于：所述透明导电层设置若干凹槽，所述凹槽具有类似光子晶体的微结构，所述凹槽为列状排列、栅格状排列或网状排列，用于提高发光二极管的出光效率。
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