[发明专利]一种氧化物薄膜的湿法刻蚀装置无效
申请号: | 200810042663.4 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101404303A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 刘古岩;郑飞璠;夏芃 | 申请(专利权)人: | 上海拓引数码技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/3213 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓 琪 |
地址: | 200234上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,包括一刻蚀槽和一放置薄膜基片的载体,所述刻蚀槽底部是弧形;所述载体底部设有车轮,刻蚀槽内设有轨道,车轮沿轨道进出刻蚀槽,刻蚀槽上有盖板,盖板不干涉载体进出刻蚀槽,该装置还包括一控制单元,控制单元控制载体运动,所述载体上设有基片夹,固定薄膜基片。通过载体在刻蚀槽中的运动的流水线生产设计理念,使得每一片在酸液槽中的时间相同,同时保证了酸液的浓度波动范围较小,提高了酸液的利用率,提升了产品的质量,加快了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化物 薄膜 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜基片的湿法刻蚀装置,包括一刻蚀槽(8)和一装载薄膜基片(2)的载体(9),其特征在于:所述刻蚀槽(8)底部是弧形;所述载体(9)设有车轮(1),沿刻蚀槽(8)底部运动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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