[发明专利]利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法无效
| 申请号： | 200810043953.0 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740364A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨欣;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，包括如下步骤：(1)多晶硅栅淀积；(2)氮化膜阻挡层淀积；(3)光刻定义多晶硅栅图形；(4)刻蚀形成多晶硅栅；(5)湿法清洗去除刻蚀过程中生成的聚合物及光刻胶剥离；(6)多晶硅栅侧壁氧化；通过在步骤(6)制程中添加原位低温氧化步骤，该方法可以在较低的氧化温度下在多晶硅栅外壁上生成一层热氧化层作为磷外扩散的阻挡层，由此来抑制多晶硅中磷的外扩散现象，从而防止短沟道器件阈值电压产生波动的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 原位 低温 氧化 减少 多晶 硅栅中磷 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，包括如下步骤：(1)多晶硅栅淀积；(2)氮化膜阻挡层淀积；(3)光刻定义多晶硅栅图形；(4)刻蚀形成多晶硅栅；(5)湿法清洗去除刻蚀过程中生成的聚合物及光刻胶剥离；(6)多晶硅栅侧壁氧化；其特征在于：在步骤(6)中，首先进行原位低温氧化，在多晶硅栅侧壁上生成一层热氧化层作为磷外扩散的阻挡层，然后再升高温度在多晶硅栅侧壁生长氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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