[发明专利]LDMOS晶体管中的沟道形成方法无效
| 申请号： | 200810043984.6 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740385A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;熊涛;陈瑜;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的LDMOS晶体管中的沟道形成方法，在硅衬底上进行深阱注入之后，包括如下步骤：1)在硅表面生长一厚氧化层作为阻挡层；2)利用光刻工艺进行定义有源区，并以光刻形成的光刻胶图案为掩膜，刻蚀所述氧化层至硅表面，后去除光刻胶；3)氧化使裸露的硅表面覆盖一薄层氧化硅，接着利用光刻工艺定义出基区，以所形成的光刻胶图案为掩膜，进行离子注入形成基区，所述基区即为所述LDMOS晶体管的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 中的 沟道 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管中的沟道形成方法，其特征在于：在硅衬底上进行深阱注入之后，包括如下步骤：1)在硅表面生长一氧化层作为注入阻挡层；2)利用光刻工艺进行定义有源区，并以光刻形成的光刻胶图案为掩膜，刻蚀未被光刻胶覆盖的氧化层至硅表面，后去除光刻胶；3)氧化使裸露的硅表面生长一氧化硅作为注入保护层，接着利用光刻工艺定义出基区，以所形成的光刻胶图案为掩膜，进行离子注入形成基区，所述基区即为所述LDMOS晶体管的沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
