[发明专利]横向扩散MOS晶体管的版图设计的方法无效
| 申请号： | 200810044076.9 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752417A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 过乾;朱丽霞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/118;H01L27/088;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散MOS晶体管的版图设计方法，其采用网格状的版图设计，将作为横向扩散MOS晶体管的源区和漏区的阱分别设计为正方形，每个作为源区的阱四周都有作为漏区的阱围绕，同时每个作为漏区的阱四周都有作为源区的阱围绕；后在作为漏区的阱的正方形中定义一边长较小的正方形区域为漏区的有源区，在作为源区的阱上和所述漏区定义薄氧化层区作为有源区，剩余作为漏区的阱的环状部分为场氧化区；多晶硅位于源区正方形和漏区正方形相接处，并覆盖整个沟道区和部分场氧化区；在整个区域的硅外延层下增加埋层离子注入区。本发明的版图设计方法可实现阵列面积的最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 mos 晶体管 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散MOS晶体管的版图设计方法，其特征在于：将作为横向扩散MOS晶体管的源区和漏区的阱分别设计为正方形，每个作为源区的阱四周都有作为漏区的阱围绕，同时每个作为漏区的阱四周都有作为源区的阱围绕；后在所述作为漏区的阱的正方形中定义一边长较小的正方形区域为漏区的有源区，在所述作为源区的阱上和所述漏区定义薄氧化层区作为有源区，剩余作为漏区的阱的环状部分为场氧化区；多晶硅位于源区正方形和漏区正方形相接处，并覆盖整个沟道区和部分场氧化区；在整个区域的硅外延层下增加埋层离子注入区；最后在薄氧化层区设计电位引出区和接触孔。
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