[发明专利]一种防静电保护结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种防静电保护结构，包括P型衬底及其上面的N型深阱，N型深阱范围内，第二N+扩散区和第四场氧化区的下方还设置有一个N阱，该N阱的下方还设置有一个N型二次扩散区。本发明还公开了一种上述防静电结构的制作方法，在所述场氧化区形成之后，N阱形成之前，通过增加一次离子注入形成所述N型二次扩散区。本发明通过在N阱下方增加N型二次扩散区，能够在泻放电流时电流可以均匀分布，避免了对放静电保护结构构成的物理损伤，提高了器件的稳定性。

主权项

一种防静电保护结构，包括P型衬底及其上面的N型深阱，所述N型深阱上设置有P阱，所述P阱包括高压P阱和包含在高压P阱内的低压P阱，所述P阱与N型深阱上设置有第一多晶硅栅，所述第一多晶硅栅的左部覆盖高压P阱和低压P阱，右部覆盖N型深阱，所述第一多晶硅栅的左侧下方设置有第一N+扩散区，所述第一N+扩散区左侧还设置有一个P+扩散区，所述P+扩散区的左侧设置有第一场氧化区，所述P+扩散区与所述第一N+扩散区之间相隔有第二场氧化区，所述P+扩散区、第一N+扩散区和第一多晶硅栅接地，所述第一多晶硅栅的右侧下方位于N型深阱之上设置有第三场氧化区，所述第三场氧化区右侧设置有第二N+扩散区，所述第二N+扩散区的右侧设置有第四场氧化区，所述第二N+扩散区连接输出入焊垫，其特征在于，所述N型深阱范围内，位于第二N+扩散区和第四场氧化区的下方还设置有一个N阱，所述N阱的下方还设置有一个N型二次扩散区。