[发明专利]CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池

摘要

CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的Cu_xTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。

主权项

1.一种CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，其特征是：先把待腐蚀的CdTe薄膜样品放入硝酸、冰乙酸、去离子水和NaAc组成的腐蚀液中，温度控制在20℃～50℃，时间1～15分钟；然后把腐蚀后的CdTe薄膜样品用去离子水冲洗，并用氮气吹干；最后，在此法腐蚀的CdTe薄膜样品上沉积背接触层(B)和背电极(M)以制备CdTe太阳电池。