[发明专利]一种VDMOS器件无效
| 申请号： | 200810046205.8 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101404292A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;连延杰;钱梦亮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的VDMOS器件结构中引入一层掺杂层：对于N沟道VDMOS器件而言，该掺杂层为位于P型基区(5)和N-漂移区(6)之间的N+层(7)；对于P沟道VDMOS器件而言，该掺杂层为位于N型基区(5′)和P-漂移区(6′)之间的P+层(7′)。与传统的VDMOS器件相比，本发明通过在基区和漂移区之间加入掺杂层，增大了电子流经的截面积，可获得较低的导通损耗，而且使得VDMOS固有体二极管的正向导通压降和反向恢复特性得到优化，在降低其正向导通压降的同时也使得反向恢复时间也有所减小；本发明提供的VDMOS器件还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。相对于传统的VDMOS器件，本发明更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
1、一种N沟道VDMOS器件，包括栅极(1)、隔离介质(2)、源极(3)、N+源区(4)、P型基区(5)、N-漂移区(6)、N+衬底(8)和漏极(9)，其特征在于，它还具有N+层(7)，所述N+层(7)位于P型基区(5)和N-漂移区(6)之间。
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