[发明专利]一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法

摘要

本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb_1+x(Sc_0.5Ta_0.5)O₃纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜；⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。

主权项

1、一种复合热释电材料，为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。