[发明专利]高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si₃N₄层或SiO₂层；(2)对上步骤中淀积的Si₃N₄层或SiO₂层进行氧化；(3)采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO₂层或Si₃N₄层；(4)对上步骤中淀积的SiO₂层或Si₃N₄层氧化致密。本方法分别对淀积的Si₃N₄层和SiO₂层进行氧化，提高二者之间的的选择比，得到高选择比的Si₃N₄和SiO₂混合叠层屏蔽膜。本方法所得到的屏蔽膜在后续的腐蚀工艺中，能更好的控制图形尺寸，加工更加精细。

主权项

1、一种高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其特征在于该方法采用下述工艺步骤：(1)、采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si3N4层或SiO2层；(2)、对上步骤中淀积的Si3N4层或SiO2层进行氧化；(3)、采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO2层或Si3N4层；(4)、对上步骤中淀积的SiO2层或Si3N4层氧化致密。