[发明专利]一种新型四元硒化物K2CdSnSe4的固相合成方法无效
| 申请号： | 200810056433.3 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101486449A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张丽丹;冯秀玲;韩春英 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明得到一种新型四元硒化物--K2CdSnSe4，并对其导电性能进行了初步研究。该化合物可以由K2Se4、Cd粉、Sn粉和Se以摩尔比3∶2∶1∶10采用反应性熔盐法在823K下反应5d合成。该化合物具有良好的热稳定性，经漫反射光谱分析，初步推断可以做半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 四元硒化物 sub cdsnse 相合 成方 | ||
【主权项】：
1一种新型四元硒化物—K2CdSnSe4，其特征在于采用反应性熔盐法在823K下反应5d得到。
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