[发明专利]一种白钨矿型DyCrO4晶体及其高压合成方法无效
| 申请号： | 200810057516.4 | 申请日： | 2008-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101307492A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 龙有文;杨留响;靳常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/24;C30B1/12 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有特殊3d电子组态的白钨矿型DyCrO4晶体及其高压合成方法。DyCrO4常压下具有四方锆石型晶体结构，以相应的硝酸盐为原料，并经过热处理可以获得单相的锆石型DyCrO4粉末。然后再对锆石型DyCrO4粉末进行适当温度下的高压处理，从而合成出具有白钨矿晶体结构的DyCrO4晶体。并且，白钨矿型DyCrO4晶体能在常压条件下得到很好的保留。这有利于对压力诱导的锆石－白钨矿相变机制进行详细研究。同时，也使对白钨矿型DyCrO4晶体的物理和化学性质进行详细表征成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白钨矿 dycro sub 晶体 及其 高压 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、钨矿型DyCrO4晶体，其空间群为四方I41/a，Z＝4，晶胞常数为：![]()
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