[发明专利]一种反相器内嵌的可控硅

摘要

本发明公开了一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由N阱指向P阱的方向，所述的N阱和P阱上依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，所述的P阱和N阱边界位于第二P+注入区的下方，第一N+注入区和第一P+注入区之间、第三N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离，第二P+注入区和第二N+注入区紧密相连，第一P+注入区和第二P+注入区之间、第二N+注入区和第三N+注入区之间的N阱或P阱表面覆由多晶硅层，P阱或N阱与多晶硅层通过SiO₂氧化层隔离。本发明的本发明提供的反相器内嵌的可控硅触发电压可调，同时整个反相器内嵌于SCR之内，不额外增加面积。

主权项

1.一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底(40)，P型衬底(40)上设有紧密相连的N阱(41)和P阱(49)，其特征在于：由N阱(41)指向P阱(49)的方向，所述的N阱(41)和P阱(49)上依次设有第一N+注入区(42a)、第一P+注入区(44a)、第二P+注入区(44b)、第二N+注入区(42b)、第三N+注入区(42c)和第三P+注入区(44c)，所述的P阱(49)和N阱(41)边界位于第二P+注入区(44b)的下方，第一N+注入区(42a)和第一P+注入区(44b)之间、第三N+注入区(42c)和第三P+注入区(44c)通过浅壕沟(43)隔离，第二P+注入区(44b)和第二N+注入区(42b)紧密相连，第一P+注入区(44a)和第二P+注入区(44b)之间、第二N+注入区(42b)和第三N+注入区(42c)之间的N阱(41)或P阱(49)表面覆有多晶硅层(46a，46b)，P阱(49)或N阱(41)与多晶硅层(46a，46b)通过SiO2氧化层(45a，45b)隔离。