[发明专利]一种碳纳米管阵列的生长方法有效
| 申请号： | 200810071868.5 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101372327A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 谢素原;马春印;林水潮;江智渊;黄荣彬;郑兰荪 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳纳米管阵列的生长方法，涉及一种碳纳米管，尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底，在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层，得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底；将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上；启动微区加热控制电源，直接以加热片为加热装置对基底加热；通入载气和碳源气；关闭微区加热控制器电源，将基底取出，得到样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供一基底，在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层，得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底；2)将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上；3)启动微区加热控制电源，直接以加热片为加热装置对基底加热；4)通入载气和碳源气；5)关闭微区加热控制器电源，将基底取出，得到样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810071868.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种压电发电装置
- 下一篇：基于sEMG建立的人手姿态模式在线识别方法
