[发明专利]一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法无效
| 申请号： | 200810072362.6 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101748475A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;江爱栋 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B11/00;C30B29/22;C01B35/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种生长LBO(LiB3O5，三硼酸锂)晶体的新工艺技术。尤其是能够生长大尺寸高质量LBO单晶的技术。为了克服LBO晶体在生长过程中溶质较难输运的问题，本发明提供了一种特殊的溶液强制对流工艺，并改进溶剂成份，有效地解决了溶质输运困难的问题。本发明在晶体生长的溶液中增加6搅拌叶片，如图所示，6搅拌叶片随着晶体的转动而转动，带动整个溶液的流动，从而加快溶质的输运。本发明在溶液中除加入B2O3作为熔剂外，还加入大量的LiF作为助熔剂。由于F-具有断键作用，它可以有效地破坏硼氧网络结构，极大地降低了溶液的粘滞度，让晶体在生长过程中能迅速而有效地进行排杂，极大减少了缺陷的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 尺寸 质量 lbo 晶体 特殊 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法，其特征是在晶体生长过程中，在溶液中加入搅拌叶片，用B2O3和LiF作助熔剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司，未经福建福晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810072362.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型保温板
- 下一篇：多扣点条式锁电联动密码锁
