[发明专利]覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构及其制程无效
申请号: | 200810074059.X | 申请日: | 2008-02-18 |
公开(公告)号: | CN101515555A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 吴政庭;林鸿村;陈煜仁;林峻莹 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程。首先,提供一包含多个引脚的导线架。然后,在导线架上形成一介电层,介电层暴露出这些引脚的上表面与下表面。之后,在介电层上形成一重配置线路层,而重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接这些焊垫和这些引脚的上表面的导线。接着,形成一防焊层,覆盖重配置线路层、介电层与这些引脚,且防焊层暴露出这些焊垫的表面。继而,在防焊层上形成一粘着层。然后,提供一晶片,晶片上具有多个凸块,而且借由粘着层使晶片贴附于防焊层上,以使各凸块分别与其中一个焊垫电性连接。 | ||
搜索关键词: | 覆晶式 四方 扁平 引脚 封装 结构 及其 | ||
【主权项】:
1.一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,包括:提供一包含多个引脚的导线架;在该导线架上形成一介电层,该介电层暴露出该些引脚的上表面与下表面;在该介电层上形成一重配置线路层,该重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接该些焊垫和该些引脚的上表面的导线;形成一防焊层,覆盖该重配置线路层、该介电层与该些引脚,且该防焊层暴露出该些焊垫的表面;在该防焊层上形成一粘着层;提供一晶片,该晶片上具有多个凸块;以及借由该粘着层使该晶片贴附于该防焊层上,以使各该凸块分别与其中一个焊垫电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司,未经南茂科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810074059.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可提升出光效率的发光二极管座体结构
- 下一篇:重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造