[发明专利]混合衬底上的抗闭锁半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810074081.4 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101257029A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杰克·A·曼德尔曼;威廉·R·汤蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在混合衬底上形成的抗闭锁的半导体结构以及这样的抗闭锁半导体结构的形成方法。所述混合衬底的特征是形成于体半导体区上的第一和第二半导体区。所述第二半导体区通过绝缘层与所述体半导体区分离。所述第一半导体区通过与所述体半导体区的导电类型相反的导电区与体半导体区分离。所述掩埋导电区由此减小了使用所述第一半导体区制造的器件对于闭锁的敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 衬底 闭锁 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括第一半导体区、与所述第一半导体区并置的第二半导体区、和在所述第一和第二半导体区下面的第三半导体区，所述第三半导体区具有第一导电类型；所述第二和第三半导体区之间的绝缘层；和在所述衬底中在所述第一半导体区和所述第三半导体区之间的位置的第一导电区，所述第一导电区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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