[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有可靠性高的BGA。在半导体衬底(51)的表面上形成焊盘电极(53)，将玻璃衬底(56)粘接在半导体衬底(51)的表面上。自半导体衬底(51)的背面至焊盘电极(53)的表面形成通孔(VH)。在包括通孔(VH)内的半导体衬底(51)背面的整个面上形成绝缘膜(59)。在绝缘膜(59)上形成缓冲层(60)。通过蚀刻除去通孔(VH)底部的绝缘膜(59)。形成与焊盘电极(53)电连接并自通孔(VH)在缓冲层(60)上延伸的配线层(64)。在配线层(64)上形成导电端子(66)。然后，将半导体衬底(51)分割为多个半导体芯片(51A)。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：焊盘电极，其设于半导体衬底的第一主面；钝化膜，其覆盖所述焊盘电极；通孔，其使所述焊盘电极自所述半导体衬底的第二主面露出；配线层，其通过所述通孔与所述焊盘电极电连接。