[发明专利]多羟基硅氧烷光电导体有效
| 申请号： | 200810074225.6 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246319A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | K·－T·丁;J·F·亚努斯;R·K·克兰达尔;E·J·小雷迪根 | 申请（专利权）人： | 施乐公司 |
| 主分类号： | G03G5/06 | 分类号： | G03G5/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了多羟基硅氧烷光电导体。成像元件括任选的支撑基材、光产生层、和至少一层包含至少一种电荷输送组分的电荷传输层、和与该电荷输送层接触并相邻的外涂层，并且该外涂层包含丙烯酸化多元醇、聚亚烷基二醇、交联剂、羟基官能化的硅氧烷和电荷输送组分。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 硅氧烷 光电 导体 | ||
【主权项】：
1.一种成像元件，包括任选的支撑基材、光产生层、和至少一层包含至少一种电荷输送组分的电荷传输层、和与所述电荷输送层接触并相邻的外涂层，并且该外涂层包含丙烯酸化多元醇、聚亚烷基二醇、交联剂、羟基官能化的硅氧烷和电荷输送组分。
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