[发明专利]一种连续晶化法合成亚微米4A沸石的工艺及设备有效

专利信息
申请号: 200810079958.9 申请日: 2008-11-27
公开(公告)号: CN101428816A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 杨效益;李小秋;王万绪;李萍;胡青霞;李永峰;赵惠贤 申请(专利权)人: 中国日用化学工业研究院
主分类号: C01B39/14 分类号: C01B39/14
代理公司: 山西五维专利事务所(有限公司) 代理人: 魏树巍
地址: 030001*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种连续晶化法合成亚微米4A沸石的工艺是将一定浓度的硅酸钠溶液和铝酸钠溶液通过一个在线式高剪切乳化机进行迅速反应胶化,胶化产物在一个可控温管式流动晶化反应器进行升温晶化,接着晶化产物在一个连续化的过滤装置上进行洗涤过滤,最后干燥得亚微米4A沸石。本发明具有工艺合成沸石方法简便易行,装置小制备效率高,采用连续操作,合成的亚微米4A沸石平均粒径小于1微米的优点。
搜索关键词: 一种 连续 晶化法 合成 微米 工艺 设备
【主权项】:
1、一种连续晶化法合成亚微米4A沸石的工艺,其特征在于包括如下步骤:(1)将硅源溶于碱液中配置成Na2O为45-125g/L,SiO2为120-390g/L浓度的硅酸钠溶液;铝源溶于碱液中配置成Na2O为70-320g/L;AL2O3为40-270g/L浓度的铝酸钠溶液(2)硅酸钠溶液与铝酸钠溶液按硅铝摩尔比为1-6,铝酸钠溶液的流量为0.1-6000L/h,分别连续进入一个在线式高剪切乳化机进行迅速反应胶化;(3)接着经陈化釜进入可控温管式流动晶化反应器进行晶化,晶化条件是:晶化温度为60-100℃,流速0.1-10m/min,物料在可控温管式流动晶化反应器停留时间10-60min;(4)晶化后经过滤,用去离子水洗涤至PH值7-11的范围,在100-300℃干燥成粉,得亚微米4A沸石产品,过滤下的母液回到制备铝酸钠溶液中去。
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