[发明专利]晶片级封装物及制作晶片级封装物的掩模无效
| 申请号： | 200810080436.0 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101414613A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 翁福田;廖永顺;罗益全;张笔政 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/02;G03F1/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶片级封装物及制作晶片级封装物的掩模，该晶片级封装物包括：一半导体晶片，具有多个半导体芯片形成于其上，所述半导体芯片仅具有完整多边形的外形；一无电路区，形成于该半导体晶片上，以隔离所述半导体芯片；一支撑结构，大体形成于该无电路区之上，其中形成并环绕该半导体晶片的一边缘的该支撑结构的一部分内具有多个导通孔；以及一透光衬底，形成于该半导体晶片之上，定义出介于所述半导体芯片与该透光衬底之间的多个空室，其中该透光衬底由该支撑结构所支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 制作 | ||
【主权项】：
1. 一种晶片级封装物，包括：一半导体晶片，具有多个半导体芯片形成于其上，所述半导体芯片仅具有完整多边形的外形；一无电路区，形成于该半导体晶片上，以隔离所述半导体芯片；一支撑结构，大体形成于该无电路区之上，其中形成并环绕该半导体晶片的一边缘的该支撑结构的一部分内具有多个导通孔；以及一透光衬底，形成于该半导体晶片之上，定义出介于所述半导体芯片与该透光衬底之间的多个空室，其中该透光衬底由该支撑结构所支撑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
