[发明专利]在高压晶体管结构的端处的栅极回拉

摘要

本发明涉及在高压晶体管结构的端处的栅极回拉。在一个实施例中，晶体管包括设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第一横向延伸的基本线性的部分和在基本线性的部分的每一端处的圆形部分。第一和第二介电区域设置在柱的相对侧。第一和第二场板分别设置在第一和第二介电区域中。分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与柱分开，所述栅极氧化物在基本线性的部分中具有第一厚度。栅极氧化物在圆形部分处基本上更厚。要强调的是，提供该摘要是为了遵守需要摘要的规定以使得检索者或其他读者迅速确定本技术公开的主题。

主权项

1.一种晶体管，包括：设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第一横向延伸的基本线性的部分和在跑道形布局的基本线性的部分的每一端处的圆形部分，第一导电类型的源极区被设置在所述柱的顶表面处或附近，并且第二导电类型的本体区被设置在源极区下面的柱中；分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域，第一介电区域被柱横向包围，并且第二介电区域横向包围所述柱；分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板；分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件，所述第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与本体区分开，所述栅极氧化物在跑道形布局的基本线性的部分中具有第一厚度，栅极氧化物在圆形部分处具有第二厚度，第二厚度基本上大于第一厚度。