[发明专利]用于一半导体集成电路的导电结构有效
| 申请号： | 200810081039.5 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101515573A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 苏圣全 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于一半导体集成电路的导电结构，该半导体集成电路包含一衬垫，以及一局部覆盖该衬垫的保护层，以共同界定出一开口区域。该导电结构适可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一下金属层；一第一导体层，形成于该下金属层上，与该下金属层呈电性连结；一第二导体层，形成于该第一导体层上，与该第一导体层呈电性连结；以及一覆盖导体层。此外，该下金属层、第一导体层与第二导体层共同界定一基本凸块结构，该覆盖导体层适以基本上完全覆盖基本凸块结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 一半 导体 集成电路 导电 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出一开口区域，该导电结构适可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接，该导电结构包含：一下金属层，至少局部形成于该开口区域内；一第一导体层，具有一第一纵向尺寸，形成于该下金属层上，与该下金属层呈电性连结；一第二导体层，具有一第二纵向尺寸，形成于该第一导体层上，与该第一导体层呈电性连接，且其中该第一纵向尺寸基本上不小于该第二纵向尺寸；以及一覆盖导体层；其中该下金属层、第一导体层及第二导体层共同界定一基本凸块结构，该覆盖导体层适以基本上完全覆盖基本凸块结构。
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