[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810081976.0 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101540322A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 薛光博 | 申请（专利权）人： | 原景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8232;H01L21/8234;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件包括带状多晶硅、漏极金属区块、源极金属区块、第一带状源极金属层、第一带状漏极金属层以及第一连接线。各个源极金属区块位于漏极金属区块之间，带状多晶硅则横跨漏极金属区块以及源极金属区块。第一带状源极金属层电性连接部分源极金属区块。第一带状漏极金属层则电性连接部分漏极金属区块。第一连接线耦接于带状多晶硅，其中第一连接线排列成网状。本发明还公开了一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包含：多条带状多晶硅；多个漏极金属区块；多个源极金属区块，其中各个源极金属区块位于两漏极金属区块之间，该带状多晶硅则横跨该漏极金属区块以及该源极金属区块；第一带状源极金属层，电性连接部分该源极金属区块；第一带状漏极金属层，电性连接部分该漏极金属区块；以及多条第一连接线耦接于该带状多晶硅，其中该第一连接线排列成网状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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