[发明专利]去耦合电容电路有效
| 申请号： | 200810082746.6 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101252127A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 许人寿;王明弘 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种去耦合电容电路包含有多个相互串联的深槽电容与多个推挽电路。该去耦合电容电路利用推挽电路来控制每一深槽电容的跨压，使其不受深槽电容的缺陷(泄漏电流)或者寄生元件的偏压影响。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 电容 电路 | ||
【主权项】：
1.一种去耦合电容电路，其特征在于，包含有：多个串联的深槽电容，每一该深槽电容包含至少一个深槽电容胞；其中，每两该深槽电容的连接处形成一节点，每一该节点是被偏压在一预设电压范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
