[发明专利]修正光学邻近效应的方法无效
申请号: | 200810083026.1 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101311825A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 崔在升 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种修正光学邻近效应的方法可包含下列步骤:制造具有这些测试图案的测试光罩;使用该测试光罩,使这些图案投射在晶圆上;测量形成在晶圆上的这些图案的线宽;以及使用该所测量的线宽来执行模型校正并编写修正秘诀。可将晶圆的晶片的整个面积分割成多数个模板。可在多数个模板中的一个模板上执行光学邻近修正并可验证在另一模板上适当地执行光学邻近修正。可合并在通过验证的多数个模板上的数据并可使用该合并数据来编写最终数据。使用该最终数据可制造光罩。 | ||
搜索关键词: | 修正 光学 邻近 效应 方法 | ||
【主权项】:
1.一种修正光学邻近效应的方法,包括:制造具有这些测试图案的测试光罩;使用该测试光罩,在晶圆上形成这些晶圆图案;测量形成在晶圆上的这些晶圆图案的线宽;使用该所测量的线宽来执行模型校正;使用该模型校正来编写修正秘诀;将该晶圆整个面积分割成多数个模板;在该多数个模板中的一个模板上执行光学邻近修正并验证于执行光学邻近修正期间,是否适当地执行在相异模板上所完成的光学邻近修正;合并在通过该验证的多数个模板上的数据并编写最终数据;以及使用该最终数据来制造光罩。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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