[发明专利]半导体封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200810085230.7 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101431086A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈朝祯;杨琳琪;周家琦;邓世杰 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/10;H01L21/52 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法，该半导体封装结构包括：基板，该基板包括至少一个含有光感应元件的曝露区；覆盖层，用于区隔该曝露区与外部环境，该基板与该覆盖层其中之一为基底，另一个为顶部结构，以及坝状结构，形成于该基底上以形成空穴区，其中该坝状结构的顶部具有凹槽，该坝状结构利用粘着剂与该顶部结构接合，且该空穴区为该曝露区。本发明能够有效地减少粘着剂的损失及溢漏，从而降低封装缺陷以获得良好的半导体封装结构及合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体封装结构，包括：基板，包括至少一个含有光感应元件的曝露区；覆盖层，用于区隔该曝露区与外部环境，且该基板与覆盖层其中之一为基底，另一个为顶部结构；以及坝状结构，形成于该基底上以形成空穴区，其中该坝状结构的顶部具有凹槽，该坝状结构利用粘着剂与该顶部结构接合，且该空穴区对应该曝露区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
