[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质无效
| 申请号： | 200810085446.3 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101266923A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 大西正;藤井弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在同一处理室内急速地加热、冷却基板的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置(22)用于在处理室(41)内对基板W进行处理，其包括：在处理室(41)内支撑基板W的支撑部件(47)；与支撑部件(47)热接触的第一温度调节部件(75)；和能够相对于支撑部件(47)热接触以及隔离的第二温度调节部件(80)，第一温度调节部件(75)和第二温度调节部件(80)被温度调节至互相不同的温度。通过使第二温度调节部件(80)相对于支撑部件(47)热接触以及隔离而能够急速地加热、冷却支撑在支撑部件(47)上的晶片W。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，用于在处理室内对基板进行处理，其特征在于，包括：在处理室内支撑基板的支撑部件；与所述支撑部件热接触的第一温度调节部件；和能够相对于所述支撑部件热接触以及隔离的第二温度调节部件，所述第一温度调节部件和所述第二温度调节部件能够被温度调节至互不相同的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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