[发明专利]高效整流器有效
| 申请号： | 200810086033.7 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101271926A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | R·J·哈莫斯基;Z·陈;J·M－F·洪;J·D·V·程;C·D·哈鲁斯卡;T·伊斯特曼 | 申请（专利权）人： | 二极管构造技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/78;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种高效功率半导体整流器件(10)包括：δP++层(12)、P本底(14)、N漂移区域(16)、N+基片(18)、阳极(20)和阴极(22)。一种制造该器件的方法包括如下步骤：在N+基片(18)上沉积N漂移区域(16)；将硼掺入N漂移区域(16)从而创建P本底区域(14)；在P本底区域(14)上形成一层硅化钛(56)；以及使一部分注入的硼集中在硅化钛(56)层和P本底区域(14)之间的界面区域处从而创建过饱和的P掺杂硅的δP++层(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 整流器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体整流器件，包括：一层用第一导电类型的掺杂剂使其过饱和的过饱和硅；第一导电类型的本底区域，大致在过饱和硅层之下且与其相邻；第二导电类型的漂移区域，大致在本底区域之下且与其相邻；以及第二导电类型的基片，大致在漂移区域之下。
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