[发明专利]制造半导体器件的方法及控制系统

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法及控制系统。当在多个绝缘膜中通过形成具有不同图案的互连沟槽或者通路孔而形成多层结构时，在绝缘夹层上按照抗反射膜和上抗蚀膜的顺序来层叠抗反射膜和上抗蚀膜，并且经由用作掩模的上抗蚀膜蚀刻抗反射膜，其中在改变与Δ(L₂－L₁)有关的至少一个蚀刻条件的值的同时，蚀刻抗反射膜，以便根据孔径比，随着要在上抗蚀膜中形成的开口的孔径比增加而减少尺寸偏移Δ(L₂－L₁)，Δ(L₂－L₁)表示相对于上抗蚀膜的开口的宽度L₁，在绝缘膜中形成的凹部的开口的宽度L₂的尺寸偏移。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：通过以下步骤在形成在半导体衬底上的要加工的绝缘膜中形成凹部，该凹部用作互连沟槽或者通路孔，这些步骤包括：在要加工的所述绝缘膜上按顺序层叠抗反射膜和上抗蚀膜，并且通过经由具有预定图案的掩模的光刻曝光并显影，在所述上抗蚀膜内形成开口，使用包含氟基气体的第一蚀刻气体，经由用作掩模的所述上抗蚀膜蚀刻所述抗反射膜，及将形成在所述抗反射膜中的图案转印到要加工的所述绝缘膜；并且针对多个所述绝缘膜重复所述形成凹部的步骤，以便形成分别对应所述多个所述绝缘膜的不同图案的多个凹部，从而形成多层结构；其中在所述形成凹部的每一个中在所述蚀刻所述抗反射膜的步骤中，与尺寸偏移Δ(L2-L1)相关联的一个蚀刻条件的值，对应于形成在所述上抗蚀膜内形成的开口的孔径比而变化，以便随着所述开口的所述孔径比增加而减少所述尺寸偏移Δ(L2-L1)，其中L1是在所述上抗蚀膜内形成开口的步骤中获得的所述上抗蚀膜内的所述开口的宽度，而L2是在所述转印图案的步骤中在所述绝缘膜内形成的凹部的宽度。