[发明专利]高压电容结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810086404.1 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101533766A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 林瑞昌 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/822;H01L29/94;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压电容结构及其制造方法。高压电容结构包括双重扩散漏极结构层、氧化层及多晶硅层。双重扩散漏极结构层用以作为一高压电容的下电极板。氧化层是形成于双重扩散漏极结构层上，且氧化层完全重叠于双重扩散漏极结构层上。多晶硅层是形成于氧化层上，用以作为高压电容的上电极板。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 电容 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种高压电容结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一双重扩散漏极结构层作为一高压电容的下电极板；形成一氧化层于所述双重扩散漏极结构层上，且所述氧化层完全重叠于所述双重扩散漏极结构层上；以及形成一多晶硅层于所述氧化层上，作为所述高压电容的上电极板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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