[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法无效
| 申请号： | 200810086763.7 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101320755A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈暎究;洪起夏;朴允童;申在光;金锡必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 示例性实施例公开了非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置具有优良的操作性能并可以被制成高度集成的结构。示例性实施例的非易失性存储装置的包括：基底电极；半导体沟道层，在基底电极上；浮置栅电极，在基底电极上，其中，浮置栅电极的一部分面对半导体沟道层；控制栅电极，在浮置栅电极上，其中，在其间发生电荷隧穿的浮置栅电极的一部分和基底电极之间的距离小于半导体沟道层和基底电极之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储装置，包括：基底电极；半导体沟道层，在基底电极上；浮置栅电极，在基底电极上，其中，浮置栅电极的一部分面对半导体沟道层；控制栅电极，在浮置栅电极上，其中，浮置栅电极的一部分和基底电极之间的间隔小于半导体沟道层和基底电极之间的间隔。
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