[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810086779.8 | 申请日： | 2005-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101246944A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 丸田秀昭 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由于形成发光元件包括III族氮化物半导体的材料的折射率实际上比空气的高。传统半导体发光器件的结构，为使活性层中产生的光发射到空气中，必需使从半导体层入射到空气中的角达到临界角。若入射角超过临界角，则光不能射出到空气中，而被全反射。本发明的半导体发光器件包括衬底，以及依序设置于所述衬底上的至少为第一半导体层、活性层和第二半导体层，其中，所述第二半导体层具有的极性与第一半导体层的极性不同，并且在活性层露出的侧面中，第一半导体层、活性层和第二半导体层的总面积，至少为第二半导体层一侧露出的顶面面积的5％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，它包括衬底，以及依序设置于所述衬底上的至少为第一半导体层、活性层和第二半导体层；其中，所述第二半导体层具有的极性与第一半导体层的极性不同，并且在露出活性层的各侧面上的第一半导体层、活性层和第二半导体层的总面积为第二半导体层的未覆盖的顶面的面积的5％或更大，并且露出活性层的侧面与第二半导体层的未覆盖的顶面形成一个138°或更大的内角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086779.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动卷帘式百叶窗的控制方法和控制装置
- 下一篇：火焰喷雾热分解薄膜制备设备
