[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200810086889.4 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101295733A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 曹茹雄;曹敏;林仲德;官大明;许正东 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/12;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包括局部应变条的半导体元件。凹槽形成于栅极电极的相对侧边，因此，凹槽通过闲置间隙壁与栅极电极偏移，于凹槽中填入应力导引层；移除闲置凹槽，并形成轻掺杂漏极。接着，形成新的间隙壁，且使应力导引层产生凹陷，可进行一个或是多个注入步骤，以形成源极/漏极区。在一个实施例中，PMOS晶体管可和一个或多个NMOS晶体管形成于相同的基底上，亦可于PMOS晶体管和/或NMOS晶体管上方，形成双蚀刻停止层。本发明利用不同属性的应力层接触邻近的电流沟道来增加元件性能。可减少结漏电流，并且通过使源极/漏极区形成凹槽和增加硅化物形成面积，增加硅化区的接触面积，并降低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：基底；第一栅极电极，位于所述基底上；多个第一间隙壁，位于所述第一栅极电极两侧的基底上；多个第一源极/漏极区，位于所述第一栅极电极两侧的基底中，所述多个第一间隙壁延伸至少部分的所述多个第一源极/漏极区上方，延伸超出所述多个第一间隙壁的第一源极/漏极区是凹陷，因此定义多个第一凹槽部分。
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