[发明专利]具有带加固图形的多层布线布置的半导体器件及生产方法无效

专利信息
申请号: 200810087116.8 申请日: 2004-11-08
公开(公告)号: CN101256988A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 小泽健 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/522;H01L23/532
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体器件,包括:半导体衬底(10),具有制作在其中的电子元件和形成在其上的绝缘底层(14),和构建在绝缘底层半导体衬底上的多层布线布置。多层布线布置包括形成在绝缘底层上的第一绝缘层间结构(16),第二绝缘层间结构(30),和形成在第一绝缘层间结构上的第三绝缘层间结构(44)。第一、第二和第三绝缘层间结构中的每一个包括低-k绝缘层(16B,30B,44B),并具有形成在其中的加固元件(28,48)。第二绝缘层间结构具有形成在其中的接合栓塞(30C)。所述第一和第三绝缘层间结构的加固元件通过接合栓塞互相连接。
搜索关键词: 具有 加固 图形 多层 布线 布置 半导体器件 生产 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底(10;114;146;182;210),具有制作在其中的电子元件;形成在所述半导体衬底上的绝缘底层(14;118;150;186;214);和构建在所述绝缘底层上的多层布线布置,其中所述的多层布线布置包括至少三个绝缘层间结构(16,30,44,50,56,62,68,74,80,86;124,126,128,130,132,134,136,138,140;158,160,162,164,166,168,170,172,174;190,192,194,196,198,200,202,204,206;216,222,224):每个绝缘层间结构包括低k绝缘层;每个绝缘层间结构具有形成在其中的加固元件或接合栓塞,由此使得该加固元件和接合栓塞可选地设置在绝缘层间结构附近,使得所述至少三个绝缘层间结构中的一个的加固元件通过相应的接合栓塞连接到另一个绝缘层间结构相应的加固元件,从而使所述绝缘层间结构连接在一起,其中所述加固元件与所述接合栓塞限定了多个延伸通过所述绝缘层间结构的加固柱,其中所述多层布线布置进一步包括最上面的绝缘层间结构,该最上面的绝缘层间结构具有形成在其中的多个电极焊盘,每个电极焊盘适于电连接到外部端子,以及其中在绝缘层间结构中整体均匀地布置多个加固元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810087116.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top