[发明专利]发光二极管及其制法无效
申请号: | 200810087262.0 | 申请日: | 2008-03-24 |
公开(公告)号: | CN101546762A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 陈柏洲;黄国瑞;宋嘉斌 | 申请(专利权)人: | 鼎元光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/488;H01L23/36;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种发光二极管的结构及其制法,该发光二极管结构包括有至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线。该硅元件组结合于该发光二极管元件的下方,而该发光二极管元件包括有一蓝宝石基板,且于蓝宝石基板上成长磊晶后再将蓝宝石基板磨薄,且于其下方镀上一第一金属接着层,而该硅元件组包括有一硅元件,并于硅元件的上方对应该第一金属接着层处镀上有一第二金属接着层,以供该发光二极管元件与硅元件组相互对应结合,且彼此间设有至少二连接导线电性连接,以形成一便于实施、适合大量生产、降低制作成本及解决散热问题的发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制法 | ||
【主权项】:
1. 一种发光二极管结构,其特征在于,该发光二极管结构包括:至少一发光二极管元件,该发光二极管元件包括有一蓝宝石基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一N型金属电极、一P型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一P型金属电极及一第一金属接着层,而该蓝宝石基板上方设有该N型氮化镓欧姆接触层,该N型氮化镓欧姆接触层上方的一侧设有该氮化铟镓发光层,该N型氮化镓欧姆接触层上方的另一侧电性耦合该N型金属电极,而该氮化铟镓发光层上方设有该P型氮化镓欧姆接触层,该P型氮化镓欧姆接触层上方设有该透光导电层,该透光导电层上方电性耦合该P型金属电极,而该第一金属接着层设于该蓝宝石基板的下方;一硅元件组,该硅元件组结合于该发光二极管元件的下方,该硅元件组包括有一硅元件,该硅元件上方的二侧各设有一导电金属层,而该硅元件上方二侧的导电金属层之间且对应该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层处设有至少一第二金属接着层,以供该硅元件组的硅元件上方的第二金属接着层对应结合于该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层的下方;以及至少二连接导线,该至少二连接导线供该发光二极管元件与硅元件组相互电性连接,其中一连接导线设于该至少一发光二极管元件的P型金属电极与硅元件组上方一侧的导电金属层之间,而另一连接导线设于该至少一发光二极管元件的N型金属电极与硅元件组上方另一侧的导电金属层之间;由此,形成一具便于实施、适合大量生产、降低制作成本及解决散热问题的发光二极管。
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