[发明专利]升压电路、电源电路及液晶驱动装置

摘要

本发明公开了一种升压电路、电源电路以及液晶驱动装置，当进行电荷泵工作的MOS晶体管以三重势阱结构实现时，能够可靠抑制放电时过电流的产生。电荷泵电路(200)包括：MOS晶体管NSW1－NSW5，MOS晶体管NSW1的一端被提供有系统接地电源电压GND，各晶体管串联连接；以及第一－第五放电晶体管DSW1－DSW5，其一端被提供有系统接地电源电压GND，另一端连接在MOS晶体管NSW1－NSW5上。MOS晶体管NSW1－NSW5可以由形成在p型半导体衬底上的三重势阱结构来实现。在放电时，对第一－第五放电晶体管DSW1－DSW5一个一个地进行导通/截止控制，防止由于寄生双极性晶体管元件达林顿连接导致的电流通路的形成。

主权项

1.一种升压电路，其利用电荷泵工作生成升压电压，其特征在于包括：第一-第N晶体管，各晶体管串联连接，其中，N为大于等于2的整数；以及第一-第N放电晶体管，其中，第一晶体管的源极或漏极中的一个上被供给有第一电压，第N晶体管的源极或漏极中的一个连接至第N-1晶体管，在所述第N晶体管的源极或漏极中的另一个上输出所述升压电压，所述第j放电晶体管的源极或漏极中的一个上被供给有放电电压，所述第j放电晶体管的源极或漏极中的另一个连接有第k晶体管的源极或漏极中的一个，其中，j为大于等于1且小于等于N的整数，k为大于等于1且小于等于N的整数，所述第k晶体管具有：形成在第一导电型的第k势阱区上的第二导电型的源极区和漏极区，所述第一导电型的所述第k势阱区被设置在半导体衬底上的所述第二导电型的区域上；以及隔着绝缘膜设置在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区上的栅极。