[发明专利]应用HDP淀积的源－体注入阻挡块的器件结构及制造方法有效
| 申请号： | 200810088263.7 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101299436A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 安荷·叭剌;弗兰茨娃·赫尔伯特;戴嵩山;雷燮光 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体功率器件。该沟道半导体功率器件包括沟道栅，该沟道栅从半导体衬底的顶表面开口并由源区域包围，该源区域在漏区域上方的顶表面附近被包围在体区域中，该漏区域设置在衬底的底表面上。该半导体功率器件进一步包括设置在体区域边上的台面区域的顶表面上方，并具有基本大于0.3微米厚度的注入离子阻挡块，用以阻挡体注入离子和源离子进入台面区域下方的衬底，由此用于制造半导体功率器件的掩模数能够得以减少。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 hdp 注入 阻挡 器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟道半导体功率器件，其特征在于，该沟道半导体功率器件包括沟道栅，该沟道栅从半导体衬底的顶表面开口并由源区域包围，该源区域在漏区域上方的顶表面附近被包围在体区域中，该漏区域设置在衬底的底表面上，其中该半导体功率器件进一步包括：设置在所述体区域边上的台面区域顶表面上方的注入离子阻挡块，该注入离子阻挡块具有基本阻挡体注入离子进入所述台面区域下方衬底的厚度，由此用于制造所述半导体功率器件的掩模数能够得以减少。
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