[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810088947.7 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101281893A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 森川成洋;稻叶裕一;后藤祐治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具有可以缓和施加在焊盘上的机械应力的结构。在第2层间绝缘膜(9)上以覆盖第3配线层(11)的方式形成有第3层间绝缘膜(13)，该第3层间绝缘膜(13)具有导通孔(12)。在导通孔(12)内形成有第3导电层(14)。第3层间绝缘膜(13)是由平面形状为六边形的多个柱状层间绝缘膜(13a)集合而构成的。而且，以包围各柱状层间绝缘膜(13a)周围的方式形成有导通孔(12)和第3导电层(14)。形成了通过第3导电层(14)与第3配线层(11)电连接的第4配线层(15)。第4配线层(15)是本实施方式中的顶层配线层，为起到焊盘作用的层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括半导体基板、配线层、层间绝缘膜、导电层和顶层配线层，该配线层形成在上述半导体基板的表面上，该层间绝缘膜形成为覆盖上述配线层，该导电层形成在上述层间绝缘膜内、并且与上述配线层电连接，该顶层配线层形成在上述层间绝缘膜上，并且通过上述导电层与上述配线层电连接；上述层间绝缘膜由以蜂窝状配置多个平面形状为六边形的柱状层间绝缘膜而成的结构构成；上述导电层形成为包围上述柱状层间绝缘膜的周围。
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