[发明专利]制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法及配线基板无效

专利信息
申请号: 200810089127.X 申请日: 2008-03-28
公开(公告)号: CN101276761A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 小林和弘 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 顾红霞;彭会
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种制造配线基板的方法、一种制造半导体器件的方法以及一种配线基板。半导体器件(100)具有这样的结构,即:半导体芯片(110)以倒装芯片的形式安装在配线基板(120)上。配线基板(120)具有多层结构,其中,多个配线层和多个绝缘层层叠在一起,并且绝缘层层叠为第一层(122)、第二层(124)、第三层(126)和第四层(128)。第二电极片(132)在第一绝缘层(121)和第二绝缘层(123)之间的边界面上形成为在径向(平面方向)上比第一电极片(130)的外径更宽。形成为比第一电极片(130)更宽的第二电极片(132)设置在第一电极片(130)和导通部(134)之间。
搜索关键词: 制造 配线基板 方法 半导体器件
【主权项】:
1.一种制造配线基板的方法,包括以下步骤:第一步骤,在支撑基板上形成第一电极片;第二步骤,在所述支撑基板的表面上层叠第一绝缘层,所述第一绝缘层包围所述第一电极片的外周;第三步骤,在所述第一电极片的表面和所述第一绝缘层的表面上形成第二电极片,所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽;第四步骤,在所述第二电极片和所述第一绝缘层的表面上层叠第二绝缘层;第五步骤,在所述第二绝缘层的表面上形成配线层,所述配线层与所述第二电极片电连接;以及第六步骤,去除所述支撑基板以露出所述第一电极片。
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