[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括：形成多个柱状物，所述多个柱状物在第一方向上和与所述第一方向相交的第二方向上排列在衬底上，由此形成所得结构；在包括所述柱状物的所得结构上形成覆盖层；去除形成在所述柱状物之间的衬底上的覆盖层以暴露出所述柱状物之间的衬底，由此形成所得结构；在所得结构上形成金属层；通过对所述金属层施加第一热处理在所述柱状物之间的暴露的衬底上形成硅化物层；去除未反应的硅化物层；和在位于在所述第一方向上排列的各柱状物列之间和所述硅化物层之下的衬底中形成隔离沟槽，以限定围绕所述柱状物并在第一方向延伸的位线。

主权项

1.一种制造半导体的方法，所述方法包括：在硅衬底上形成第一柱状物和第二柱状物，所述第一柱状物和所述第二柱状物与所述衬底的材料相同，在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定有间隔；在所述第一柱状物和所述第二柱状物上以及在二者之间限定的所述间隔上形成覆盖层；移除在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔上形成的覆盖层部分，其中在移除所述覆盖层之后，暴露出所述第一柱状物与所述第二柱状物之间的衬底部分；在所述覆盖层以及在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间的所述暴露的衬底部分上形成金属层；对所述金属层实施第一热处理，使得接触所述暴露的衬底部分的金属层的第一部分转变为硅化物层，不接触所述暴露的衬底部分的金属层的第二部分保持为金属层；移除所述金属层的第二部分，其中所述硅化物层在移除所述金属层的第二部分之后保留在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔处；和在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔处的衬底中形成隔离沟槽，所述隔离沟槽延伸到所述硅化物层下方并将所述硅化物层分隔成第一硅化物结构和第二硅化物结构，所述第一硅化物结构与所述第一柱状物相关联，所述第二硅化物结构与所述第二柱状物相关联。