[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810091997.0 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101257001A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 矶野俊介 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L23/58;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，首先，在布线形成区域(R1)形成第一金属布线(102)，在密封环区域(R2)上形成第二金属布线(103)。其次，通过化学机械研磨法或蚀刻，使第一金属布线及第二金属布线的上部凹入，形成凹部(110)。然后，在基板上形成掩埋凹部的第二绝缘膜(104)，使其表面平坦化。其次，将孔状图形(106)及沟槽状图形(107)形成到第二绝缘膜的途中，进行灰化或聚合物的除去。然后，使孔状图形及沟槽状图形达到第一金属布线及第二金属布线。根据本发明，在形成孔状图形和密封环用的沟槽状图形时，防止沟槽状图形和孔状图形达到下面的布线层，从而防止布线层中的金属腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体基板，设置在上述半导体基板的上方的第一绝缘膜，设置在上述第一绝缘膜的至少上部的布线层，覆盖上述布线层的上部的耐氧化性导体膜，设置在上述第一绝缘膜及上述耐氧化性导体膜上的第二绝缘膜，设置在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、达到上述耐氧化性导体膜的至少一个接触导体部。
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