[发明专利]立式热处理装置以及被处理基板移载方法有效
申请号: | 200810092365.6 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101295628A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 荻原顺一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种立式热处理装置(1),包括具有炉口(4)的热处理炉(3);密闭炉口的盖体(6);通过环状支撑板(15)沿上下以规定间隔保持多个被处理基板的保持件(9);和将保持件搬入搬出热处理炉的升降机构(11)。移载机构(21)具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板(20)并在收纳容器(16)和保持件间移载被处理基板。支撑板(15)分割成具有移载被处理基板时移载板能上下通过的切口部(28)的外侧支撑板(29)和载置在外侧支撑板的内周缘部并具有封堵切口部的封堵部(30)的内侧支撑板(31)。由此能对具有环状支撑板的保持件每次移载多个被处理基板并缩短移载时间、增加处理个数、提高生产率。 | ||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 以及 处理 基板移载 方法 | ||
【主权项】:
1.一种立式热处理装置,其特征在于,包括:下部具有炉口的热处理炉;密闭所述炉口的盖体;设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件;使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的升降机构;位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器;和移载机构,其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板,并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板的移载,其中,所述保持件的所述支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板,所述外侧支撑板具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿上下方向通过的切口部,所述内侧支撑板被配置在所述外侧支撑板的内周缘部上,并且具有封堵所述切口部的封堵部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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