[发明专利]图案化金属层及薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200810092803.9 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101572215A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 廖金龙;何家充 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案化金属层及薄膜晶体管的制作方法，先形成一金属层于一第一基板的一具光热转换特性的转印牺牲层上。利用激光转印技术将该金属层图案化转印至一第二基板上，以形成具预定图案的金属层于该第二基板上。本发明通过在被转印金属层与该第一基板间设置该转印牺牲层以吸收激光，进而保护该被转印金属层不吸光受热，而防止被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 金属 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化金属层制作方法，其特征在于，所述图案化金属层制作方法包括：提供一具有一转印牺牲层的一第一基板，所述转印牺牲层具有光热转换特性；形成一金属层于所述转印牺牲层上；将所述第一基板置于一第二基板上方，以使所述金属层接近或接触所述第二基板；利用激光转印方式将所述金属层图案化转印至所述第二基板；移去所述第一基板；及移除残留在所述被转印图案化金属层上的所述转印牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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