[发明专利]导电结构、包括导电结构的非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810092859.4 | 申请日： | 2008-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101312178A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 崔炳镕;朴奎灿;李忠浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/115;H01L21/768;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;陆锦华 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开提供了导电结构、包括导电结构的非易失性存储器件及其制造方法。集成电路器件内的导电结构，该导电结构包括集成电路衬底以及该衬底上的第一导电层图案。第二导电层图案位于衬底上，该第二导电层图案在各个第一导电层图案之间延伸。相邻的所述第一和第二导电层图案相对于衬底在不同的水平面上，以减小它们之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 包括 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件内的导电结构，包括：集成电路衬底；所述衬底上的第一导电层图案；以及所述衬底上的第二导电层图案，该第二导电层图案在各个所述第一导电层图案之间延伸，其中相邻的第一和第二导电层图案相对于所述衬底位于不同的水平面上，以减小它们之间的寄生电容。
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