[发明专利]二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞无效

专利信息
申请号: 200810092995.3 申请日: 2008-04-22
公开(公告)号: CN101261878A 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 石维强;柏正豪;刘国桢 申请(专利权)人: 智原科技股份有限公司
主分类号: G11C11/41 分类号: G11C11/41;G11C11/412;G11C11/417;G11C11/418
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨;吴世华
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞,该记忆胞包括:一第一N型开关元件,该第一N型开关元件具有一控制端连接至一字线,且该第一N型开关元件的一第一端连接至一位线;一第二N型开关元件,该第二N型开关元件具有一控制端连接至该字线,且该第二N型开关元件的一第一端连接至一反相的位线;一第一存储节点,该第一存储节点的一第一端连接至该第一N型开关元件的一第二端;以及,一第二存储节点,该第二存储节点的一第一端连接至该第二N型开关元件的一第二端。本发明可以降低SRAM的面积,相较于6T记忆胞所组成的SRAM,布局面积减少40%以上。使用者也不需要利用外部数据更新电路来进行SRAM数据的更新。
搜索关键词: 晶体管 静态 随机存取存储器 及其 记忆
【主权项】:
1.一种静态随机存取存储器的记忆胞,包括:一第一N型开关元件,该第一N型开关元件具有一控制端连接至一字线,且该第一N型开关元件的一第一端连接至一位线;一第二N型开关元件,该第二N型开关元件具有一控制端连接至该字线,且该第二N型开关元件的一第一端连接至一反相的位线;一第一存储节点,该第一存储节点的一第一端连接至该第一N型开关元件的一第二端;以及一第二存储节点,该第二存储节点的一第一端连接至该第二N型开关元件的一第二端。
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