[发明专利]粘性晶粒由晶圆分离的形成方法无效
| 申请号： | 200810093403.X | 申请日： | 2008-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101567301A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘俊贤;张家彰 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/78;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张颖玲;刘淑敏 |
| 地址： | 台湾省新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种粘性晶粒由晶圆分离的形成方法。该方法包括以下步骤：在该晶圆的晶粒之间形成切割空隙；将形成在可扩张膜上的粘着层转印于该晶圆；对应该切割空隙，形成预裂导槽于该粘着层而不贯穿该粘着层；之后，拉伸该可扩张膜，以使该粘着层沿着该预裂导槽的纹路予以分裂；由该可扩张膜取出已贴附粘着层的晶粒。因此，不会在粘着层的边缘产生突出粘晶面的切割毛边，进而解决公知切割毛边引起粘晶贴附倾斜与余隙的问题，并能低温分离粘着层时以避免其边缘产生不当固化。 | ||
| 搜索关键词： | 粘性 晶粒 分离 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，主要包含以下步骤：提供晶圆，该晶圆包含两个或两个以上一体未分离的晶粒；在所述晶粒之间形成切割空隙；转印粘着层于该晶圆，其中该粘着层形成在可扩张膜上；形成预裂导槽于该粘着层，该预裂导槽对准于该切割空隙并且不贯穿该粘着层；拉伸该可扩张膜，以使该粘着层沿着该预裂导槽的纹路予以分裂；以及由该可扩张膜取出贴附有已分裂粘着层的所述晶粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司，未经力成科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810093403.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种欧亚种无核葡萄高效育种技术
- 下一篇：模块化侧流气体采样装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
