[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200810093526.3 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101373788A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 林俊杰;许伟华;张宇恩;张传理;郑吉峰;洪维远;岸本耕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/38;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一硅锗区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比实质上低于该第一原子百分比。因此，本发明可降低硅化物(或锗的硅化物)的片电阻和表面轮廓，以改善金属氧化物半导体装置的硅化工艺的形成方式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一第一硅锗区，位于该半导体衬底中且相邻该栅极堆叠层，其中该第一硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该第一硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比实质上低于该第一原子百分比。
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