[发明专利]用于处理衬底的处理装置和方法无效
| 申请号： | 200810094206.X | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101431004A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 乌里·霍夫曼;卓斯·曼纽尔·迪格茨-加波 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/56;H01L21/82;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在衬底上制备层系统处理装置，包括：一个或多个处理台配置，用于在处理台中处理衬底；以及第一封装模块，包括在沉积在衬底上的层系统上提供封装的第一封装工具。处理装置包括至少一个第二封装模块，其包括至少一个在沉积在衬底上的层系统上提供封装的第二封装工具，处理装置被构造来在第一封装模块或第二封装模块中在沉积在衬底上的层系统上提供封装。通过提供两个封装模块，其中第二封装模块，可以在处理装置的连续操作过程中，在第一封装模块在经涂层的衬底上生成封装的同时被清洁。在一个运行周期或预定数量的运行周期之后，第二封装模块被用于在一定数量的后续经涂层的衬底上生成封装元件，同时第一封装模块进行清洁工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 装置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在衬底上制备层系统，优选包括至少一层有机发光半导体材料的层系统的处理装置(1)，所述装置包括：一个或多个处理台(A，2)配置，用于在所述处理台(A，2)中处理所述衬底，以及第一封装模块(5a)，其包括用于在沉积在所述衬底上的所述层系统上提供封装的第一封装工具(6a)，其特征在于，所述处理装置(1)还包括至少一个第二封装模块(5b)，所述至少一个第二封装模块(5b)包括用于在沉积在所述衬底上的所述层系统上提供封装的至少一个第二封装工具(6b)，以及所述处理装置(1)被构造来在所述第一封装模块(5a)或第二封装模块(5b)中在沉积在所述衬底上的所述层系统上提供所述封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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