[发明专利]像素结构及其修补方法有效
申请号: | 200810095210.8 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101562186A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 陈建铭;张原豪 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种易于修补的像素结构,包括一扫描线、一栅极、一共用配线、一第一介电层、一沟道层、一源极、一漏极、一数据线、一电容耦合电极、一第二介电层与一像素电极。其中,栅极、共用配线与扫描线配置于基板上,且栅极与扫描线电性连接。共用配线具有至少一第一开口,且第一开口至少部分位于数据线与电容耦合电极之间。沟道层配置于栅极上方的第一介电层上。源极与漏极配置在沟道层上。电容耦合电极配置于共用配线上方的第一介电层上,并与漏极电性连接。本发明的像素电极配置于第二介电层上,并与电容耦合电极电性连接。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 修补 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,适于配置于一基板上,该像素结构包括:一扫描线;一栅极,与该扫描线配置于该基板上,且该栅极与该扫描线电性连接;一共用配线,具有至少一第一开口,且该共用配线配置于该基板上;一第一介电层,覆盖该扫描线、该栅极与该共用配线;一沟道层,配置于该栅极上方的该第一介电层上;一源极与一漏极,配置在该沟道层上;一数据线,配置于该第一介电层上,且该数据线与该源极电性连接;一电容耦合电极,配置于该共用配线上方的该第一介电层上,且该电容耦合电极与该漏极电性连接,其中该共用配线的第一开口至少部分位于该数据线与该电容耦合电极之间;一第二介电层,覆盖该源极、该漏极与该数据线;以及一像素电极,配置于该第二介电层上,且该像素电极与该电容耦合电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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